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拋光機(jī) IM-P2+SP-L1在半導(dǎo)體材料上的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2024-01-09 點(diǎn)擊量:506

拋光機(jī) IM-P2+SP-L1在半導(dǎo)體材料上的應(yīng)用

半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,其產(chǎn)品主要分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器四類。半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、汽車(chē)工業(yè)、醫(yī)療儀器、能源等領(lǐng)域,半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用。

研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此,拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對(duì)生產(chǎn)芯片來(lái)說(shuō)是十分重要的。針對(duì)三代半導(dǎo)體需要有不同的研磨拋光解決方案。

第一代半導(dǎo)體材料,以硅片和鍺片為代表,針對(duì)這兩種材料的研磨和拋光,解決方案為:化合物半導(dǎo)體研磨液、CMP拋光液以及所匹配的研磨墊和精拋墊等。

第二代半導(dǎo)體材料,以磷化銦和砷化鎵為代表,針對(duì)這兩種材料的背拋工藝,解決方案為:化合物半導(dǎo)體拋光液和CMP拋光液以及所匹配的精拋墊。

第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅和氮化鎵為代表,針對(duì)這兩種材料的研磨和拋光,解決方案為:化合物半導(dǎo)體粗磨液、精磨液、粗拋液和CMP拋光液;后道外延芯片背面減薄需要減薄耗材產(chǎn)品,以及匹配的粗拋墊和精拋墊。

研磨設(shè)備

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這是用于安裝拋光機(jī) IM-P2 的旋轉(zhuǎn)機(jī)樣品。
拋光嵌入樣品時(shí),將 SP-L1 連接到拋光機(jī) IM-P2 即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)拋光。
由于可以改變頭的轉(zhuǎn)速,因此可以以相同的轉(zhuǎn)速拋光支架和盤(pán),這可以防止拋光表面變得傾斜或鉛筆狀,并且可以在不失去平行度的情況下進(jìn)行拋光。

主要特點(diǎn)

  • 采用單獨(dú)加載方式!將電子材料等切割到觀察線(通孔等)時(shí),通過(guò)采用單獨(dú)裝載方法,可以從目標(biāo)位置開(kāi)始將樣品一張一張地取出。
    最多可設(shè)置 3 個(gè)樣本。

  • 可以在不失去平行度的情況下切割工件!當(dāng)使用單獨(dú)的負(fù)載方向時(shí),樣品的拋光表面可能會(huì)變得傾斜或鉛筆形狀。
    SP-L1允許改變刀柄的轉(zhuǎn)速,因此根據(jù)拋光推薦理論,通過(guò)以相同的方向和相同的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)刀柄和盤(pán),可以在不失去平行度的情況下進(jìn)行研磨工件..

    • 粗拋光 砂紙或拋光墊

    • 盤(pán)轉(zhuǎn)速200rpm/支架200rpm

    • 精細(xì)打磨鉆石+拋光紙

    • 盤(pán)轉(zhuǎn)速65-150rpm/支架65-165rpm

  • 可半自動(dòng)拋光!標(biāo)準(zhǔn)配備循環(huán)割刀!通過(guò)在 IM-P2 上安裝 SP-L1,可以實(shí)現(xiàn)半自動(dòng)拋光。
    標(biāo)準(zhǔn)配備具有滴量調(diào)節(jié)功能和開(kāi)/關(guān)閥的潤(rùn)滑劑滴注裝置“潤(rùn)滑器"。

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